基板温度の設定だけで「GaAsBi」の非晶質層と単結晶層を作り分け、広島大などが成功

広島大学と愛媛大学は3月28日、ビスマス(Bi)系III-V族半導体半金属混晶の1つで新奇な「ヒ化ガ...

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